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PSMN1R2-30YLDX的图片

PSMN1R2-30YLDX

Nexperia图标
FET,MOSFET - 单-晶体管
制造厂商:Nexperia(安世半导体)
功能简述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
原厂封装:SC-100,SOT-669
优势价格,PSMN1R2-30YLDX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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PSMN1R2-30YLDX的功能参数资料 - Nexperia(安世半导体)提供
  • Nexperia公司器件型号:PSMN1R2-30YLDX
  • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  • 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 系列:-
  • 零件状态:在售
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):68nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4616pF @ 15V
  • Vgs(最大值):±20V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):194W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.24 毫欧 @ 25A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • Nexperia公司标准封装:LFPAK56,Power-SO8
  • 封装形式:SC-100,SOT-669
  • PSMN1R2-30YLDX的标准包装数量(SPQ):1500 PCS
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